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            碳化硅拋光液,SiC拋光液,碳化硅襯底拋光

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            當前位置:網站首頁產品中心拋光液

            碳化硅(SiC)拋光液

            所屬分類:拋光液      發布時間:2021-02-18

            碳化硅(SiC)單晶材料作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,由于其具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、高熱導率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高電子飽和遷移速率(~Si的2.5倍)、高擊穿電場(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性,在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領域有著不可替代的優勢,彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷,正逐漸成為功率半導體的主流。

            「上海新安納」浙江新創納電子科技有限公司開發了系列碳化硅晶圓(SiC Wafer)拋光液,主要產品包括:SC- A1901,SC-A1906,SC-AT2000,SC-A2002,SC-AT2012,SC-A1905,SC-S1903等系列碳化硅拋光液。既有碳化硅粗拋液也有碳化硅精拋液:

             

            碳化硅粗拋光液

            優點

            1. 拋光速率大于2.5μm/h;

            2. 拋光表面平整光滑,無明顯劃傷;

            3. 壽命長。

            應用:不同尺寸高純半絕緣體4H-SiC,N型4H-SiC等晶圓拋光。

             

            碳化硅精拋液

            優點

            1. 拋光表面質量好,表面粗糙度Ra<0.15μm;

            2. 去除效率高,拋光速率大于1μm/h;

            3. 易清洗。

            應用:不同尺寸高純半絕緣體4H-SiC,N型4H-SiC等晶圓精拋。

            SiC碳化硅拋光液

            相關標簽: CMP拋光液  
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